Vycece vakuová Plazmová napravu potahovacíhoch Zaříízena: Záladská zaříízena, Které umožňuje metalizaci Keramického substrátu dpc dpc

Povlakovací za Zaízené Pro Polovodičečeké Keramické subtrátovi Vybavennínílí PlijíMá Princip RozpraSHOVÁNí Plazmy s VYSOKým Vakuovám Elektrickem Polem, vstřekne malé Množhství ArgonovéHo PlyNine aounsUnounU do unzansUnsUnU do uz unzané do unzanu do unzanu do uzounsinu do unzansounU do unzansounU u ane unZiné do uz. ionizuje jej do argonoviého iontů toku pod působedím vykyého napěTí. Tyto vykokoenergetické argononé ionty budo zrychleny a bombardují cílovitte materiál ve směru, takži atomy na povrchu Cílového materiálU jsou „píszprašhové“ rovnoměrně uložani. ČÍMŽ VYTVÁVEJI KOMPOZITNI VRSTVU MěDI A SILNOU ADHEZI.
Polovodičevý keramický substrát povlak JE Klíčejem Předvolbou v Technologii Zpracováné Keramického substrátu DPC, Kteý Položí pevý Základ Pro Následobu Výrobu evoodů Prostřednictvím Vysoce Přeesné depozice Kovovi Vrstvy Dosahuje Keramicý substrát Nejen VynikaJící Vodivost, Ale sA také silnější tepelnou stabilitu a mechanicou Sílu Sílu, plně splěuje. ŠpičKKOFOCH Aplikaci, Jako JE 5G Komunikace, Automobilová Elektronika A Moduly VýkonU pro v ékon substrátu.
BěHem Procesu ukládáné Kovové Vrstvy Budou Jakékoli nečistoty vážně ovlivnit Strukturálně stabilitu, Elektrické Vlastino a adhezi uložené vrstvy. Proto je toto toto zařízené vybaveno vykóm vakuovom obalům komorném systéMem a stupou vakua můži dosáhnout úvvně 10 pa. Prostřednictvím propojení vysoce účinné molekulární pumpy a mechanického čerpadla pro výfukové plyny, vícevrstvé těsnicí struktury, je zabráněno úniku plynu, vnitřní stěna komory je leštěna a adsorpční zbytky jsou sníženy, aby se zajistila čistota depozičního prostředí a žádná oxidační reakce od zdroje, čímž se výrazně zlepšila a volitelná pro semikopak pro semikopak pro semosticitu a obličej pro semikopak a posikova pro semikopak a je vstřícná pro semikopak a posikova pro semokornu a je vstříkícná a posova a je vstřícná pro semikopaci a je vhodnový pro oxidačna reakci a je vhodný pro posikát a a i a a a a a a a a a a a a a a a a a a a a a a a a a a a a a a a a a a a a a a a a a a a a je a je občas a je vhodý pro posilaci a je vhodý a vozitelnosti a vozitelnosti a vozitelnosti a vozitelnosti a vozitelná. Vysoce Výkonná Zařízené je extrémně tysokémi Pobradavky na Čistotu a Konzistenci.
Toto Zařízené Přijímápsnost kontrolovánský systém Zdrojového iontu plazmaticKach iontů, kteý se můži automaticky upravit podleh. TATO VYSOCE KONTROLOVATlná Struktura Zdroje Iontů Můža dosáhnout Rovnoměrnějšího rozzlové atomů kovů, což Zajišhťuje, je uniformita chyba konzistence povrchu kovova kompHe vrstí na vrstí kompiovi. Na povrchu Celého Keramického substrátu je munší než ± 3%, což je zváště vhodné pro statitnií produkci Keramickych substrátů ve Velkém tvaru.
ABY BYLO MOBERÉ USPOKOJIT POTřeby Zpracováné Zákazníků Pro Keramické substráty růzých specifikací, Polovodičecoé Keramické potahovací zavízené pro keramické substráty můži flexibiLlně nahradit substrátoké Pvíslušenství, a Rozšíření Rozhrané podporuje paralelni rozbvržanská duálská stanice nebo vice mezery.
Ídici systém můži žvěňátavit řAdu procesnich Parametreů a Rychle Zopitát Dávky Produktu. Tato Struktura Nejen Zlepšuje Flexibilitu Používání zaříízené, Ale také v v árázně snižja dobu nastavené Stroje a Nákladů na ru. Je velmi Vhodý Pro Produkci OEM, Vědecké Výzkumné zkoušky A Prostřede Kompatibilní s Hromadnou v írobou a paralelni proství prostředí.
Systém Nabajené Nanájené Polovodičecového Keramického substrátu přijímá vysace efekttivNí logiku arně na napojené na napajení na napovánu iontim romí namímí nam. Součsně Má Automatický mechanismus start-stop Optimalizace Pohotovostního Režiimu, automatické nastavené Energie po stabilizaci Procesu a snižije nadměrnou Spotřebu Energie. VoteLlná Konfigurace Propojetího s objevice kovstvími může dosáhnout 24hodinoné Neplesžiité KontinuálNí Produkce. Je zvláště vhodnový pro Zákazníky Hmotninost. Výroby Keramického substrátu, kteří jsou citliví na spotřebu Energie Jednotky a mají vyké požadavky na Úúnnost Rytmu Komunikačna Zařízeni a Výrobci modulů modulů.